sims（sims4）

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1、二次离子质谱分析SIMS: Secondary Ion Mass Spectrometry 测定原理: 将样品表面用具有数个keV能的O2+、 Cs+等离子束(一次离子) 照射，表层的原子因喷溅作用被释放到真空中。

2、被喷射的大部分属中性电性，但有一部分(通常为1%以下)转为正离子或负离子(二次离子)。

3、SlMS是一种用电场将二次离子激起，通过磁场、高频率电场进行质谱分析，以此对样品表层的构成成分进行定性和定量化分析的方法。

4、半导体材料的主要分析应用1.掺杂剂的剖面测定可以测定N型及P型掺杂剂的深度方向浓度分布。

5、主要评价内容如下。

6、评价剂量、Rp、Xj等 计测P/N接合深度 评价热处理后的剖面变化 评价沟道效应 评价交叉污染 评价能源污染 与SRP(扩散电阻)的比较 与SUPREM等模拟的比较 2.杂质评价、薄膜分析可以测定各种工序中的单晶体表层邻域、膜中以及界面上存在的杂质的深度方向的浓度分布。

7、主要评价内容如下。

8、测定离子注入时的金属污染 测定掺杂剂扩散后的杂质 测定由喷溅、CVD等成膜的膜中杂质 测定CZ-Si基板、Epi-Si基板中的杂质 测定BPSG膜中的B及P的深度方向的浓度变化 测定各种金属界面中的C，0等的偏析 测定各种金属膜的扩散 3.不良解析·微小区域的分析通过评价特定部位的杂质，解析实装设备的不良状况。

9、对微小区域进行分析时，兼用图象处理技术。

10、主要评价内容如下。

11、 测定晶体管部的杂质 分析Al衬垫部的深度方向 测定埋入部分的杂质 4.其他方面的应用进行SIMS测定时，对于因溅射而表层形状变化显著的物质及容易发生迁移的材料进行特殊分析。

12、主要评价内容如下。

13、采用BacksideSIMS测定金属膜的扩散 通过冷却样品测定杂质的动态(特别是测定容易迁移的元素)As注入单晶体的沟道状况测定低压CVD-SiN膜中的杂质测定MOS晶体管B的浓度Cu配线结构的深度方向分布。

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