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如何优化内存条(内存条优化)

2019-06-16 16:24:07科技551

大家好,今天就和蜜蜜一起来看看这个问题吧 。内存条优化,如何优化内存条很多人还不知道,现在让我们一起来看看吧!

优化记忆棒

如何优化内存条(内存条优化)

存储器负责向CPU提供操作所需的原始数据。现在CPU的运行速度远远快于内存的数据传输速度,导致CPU要等待内存提供数据。这就是我们通常所说的“CPU延迟”,或者所谓的“内存瓶颈”。内存传输速度越慢,CPU等待时间越长,对系统整体性能的影响越大。因此,快速内存是有效提高CPU效率和整体性能的关键之一。通常,购买新的更快的内存是解决内存瓶颈最直接的方法。但是利用我们现有的内存,做一些优化设置,也能得到同样的效果,而且不花钱。

我们在上一期已经介绍过了。目前主流的内存分为SDRAM、DDR SDRAM和RDRAM。三种内存有一个共同点,就是都工作在与系统CPU外部频率相同的频率,也就是我们常说的一个术语——FSB(前端总线)频率。现在所有的主板都有很高的“智能”,这三种内存插上相应的主板后都能自动设置正确的运行频率。所以,即使我们不做任何设置或调整,绝大多数内存都是可以“即插即用”的。但是几乎所有主板的内存相关参数的初始设置都比较保守,无法充分发挥内存的性能。下面,我们分别介绍三种内存的优化方法。

(注:下面我们说的内存优化仅限于主板BIOS提供的功能。按住“Del”键进入BIOS设置界面。具体的设置菜单项一般是“芯片组特性设置”或“高级芯片组特性”。通常使用“向上翻页/向下翻页”键或更直观的输入菜单来修改参数。修改后,一定要按“F10”键保存。所有修改将在系统重启后生效。)

RDRAM内存优化

RDRAM的设置和优化是最简单的。RDRAM有两种:——PC600和PC800,另一种是不太正规的PC700,PC600性能最低,PC800性能最高。要正确设置RDRAM,首先要做的是认清自己内存的规格。

图1由于RDRAM工作规范要求极高,大多数奔腾4主板不提供超频功能。我们只需要将BIOS中的“RDRAM总线频率”选项设置为与内存模块相同的频率。这里400MHz对应PC800内存,300MHz对应PC600内存(PC700内存只能当PC600)。

图2这是PC800的RDRAM内存模块。我们可以从内存标签上清楚地找到它的规格标志。

SDR/DDR内存优化

DDR SDRAM的设置和SDRAM大致相同,我们就以SDRAM为例介绍一下。

SDRAM有三种官方规格:——PC66、PC100和PC133。DDR SDRAM有两种规格:PC1600和PC2100。根据超频爱好者的需求,部分厂商也提供非正规规格的PC150和PC166 SDRAM内存条,DDR SDRAM也有非正规规格的PC2700产品。这些值实际上代表了这些存储器能够稳定运行的最大频率。比如PC133内存的最大稳定运行频率应该是133MHz。但是,在BIOS设置选项中,很少能够直接选择内存规格。更多的是通过设置FSB频率或者存储器的运行时钟周期来间接设置存储器规格。

图3我们前面说过,内存的运行频率和FSB是一样的。FSB设置选项在BIOS中往往是和CPU频率一起设置的,实际上是通过设置CPU运行频率(倍频和外频)来实现的。

图4这块主板通过内存的访问时钟周期来设置内存的运行频率。内存时钟周期与工作频率关系的简化计算公式为:1内存时钟周期1000MHz。比如7.5ns的SDRAM,它的工作频率是17.51000MHz133MHz。图中的内存设置为8ns,但只能算是PC100的内存。

图5 SDRAM和DDR SDRAM都在内存芯片上标记了这个内存的访问时钟周期。我们不仅可以根据这个值正确设置内存,还可以用它来判断内存是否符合标称规格。

正确设置内存的运行频率只是优化内存的第一步。为了获得更好的性能,调整FSB是最有效的手段。但是,由于这样会增加CPU的运行频率,所以并不一定CPU能稳定运行。一旦CPU的超频能力足够,内存的最大稳定运行频率也至关重要,这也是为什么发烧友们总是对PC150和PC166内存情有独钟的原因。

目前大部分主板的BIOS都提供了内存参数微调的功能,但是具体主板的厂商不同,芯片组不同,可以调整的项目也不同。由于内存运行参数的微调涉及到非常专业的知识,这里只告诉你调整什么。

  图6 CL值是调节最频繁的内存参数。CL是CAS Latency(CAS延时)的简写,该参数对内存性能的影响最大,CL值越小表明内存的性能越高。按PC133规范的技术文档说明,只有运行频率为133MHz、CL=2的内存,才真正符合PC133标准。目前市面上的很多所谓的PC133内存都不能做到CL=2。DDR SDRAM内存的CL目前大多为2.5或2。

  图7 大多数主板BIOS都可以设置CL参数的值(在主板BIOS中该参数有的表示为CAS Latency,有的为SDRAM CAS Latency Time,也有如图表示为SDRAM Cycle Length的),这个参数理论上可以随便设置,因此可以尽量尝试减小该值。但此举如导致系统无法启动或运行中死机,就应该及时还原该参数。

  图8 部分主板提供了更为详细的三个内存参数选择——SDRAM RAS Precharge Time、SDRAM RAS To CAS Delay 和SDRAM CAS Latency Time。这几个数值都可以慢慢尝试将其减小。

  图9 从VIA 693芯片组开始,VIA公司的所有芯片组还支持一个比较特殊的设置,这就是SDRAM的四路交错(4 Way Interleave)。该参数可以大大提高SDRAM的预充电效率,从而提升内存性能。目前很多采用VIA芯片组的主板都有这个设置,它们在菜单中的选项往往被称为Bank Interleave。在设置时,我们只要将其更改为4 Bank或4 Way Interleave即可。

这篇文章到此就结束,希望能帮助到大家。

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