陷落电子

[拼音]：xianluo dianzi

[外文]：trapped electron

陷入因极性介质分子偶极取向而形成的“极子”势阱中的热化电子。如果介质为固体或玻璃基体，则陷落电子有较长寿命；在液体中形成溶剂化电子是一种重要的陷落方式。

电离辐射与物质相互作用过程中产生的次级电子仍有较高的能量（＞100电子伏），具有继续激发或电离周围介质分子的能力。通过与介质分子的作用，次级电子的能量逐渐消耗而慢化，丧失激发或电离介质分子的能力，直到它们的动能与介质分子的热能等同，成为热化电子。在能量降到热能之前，如已脱离母体离子的库仑场束缚而漂离母体离子一定距离(平均为几纳米)，则这种热化电子才有可能成为陷落电子或溶剂化电子。

热化电子在介质中自由漂移，继续与介质分子相互作用，损失能量。如果介质分子极性较大（如水分子），如果介质是水分子，又叫水化电子eaq：

但也有理论认为介质中的“阱”是预存在的。

陷落电子的几何构型分为键合取向和偶极取向两种。以水化电子为例，最合理的模型是四个水分子与一个热化电子构成四面体结构。电子陷入中心缺陷位置时，四面体角上的水分子偶极取向，其正端 (H)都朝向电子。六个水分子与一个热化电子组成水化电子是键合取向八面体构型。陷落电子的半寿期也因介质分子而异，水化电子的半寿期为8×10-4秒。

测定陷落电子产额的方法有动态吸收光谱、特征单重态顺磁共振谱和化学俘获法等。